Skocz do zawartości

MateuszX

Użytkownicy
  • Zawartość

    7
  • Rejestracja

  • Ostatnio

Reputacja

0 Neutralna

O MateuszX

  • Ranga
    2/10

Informacje

  • Płeć
    Mężczyzna
  1. Cześć, moje pytania do tego artykułu: 1. W artykule podany został link do dokumentacji NE555, w której komparatory na wejściu odwracającym mają negacje. Na komparatorach na kursach forbota taka negacja nie występuje - czy jest to tylko jakieś uproszczenie rzeczywistego komparatora? 2. Czy rysując przebiegi najważniejszych napięć czas w stanie logicznym 1 wejścia "Set" został na początku celowo wydłużony? Nie powinien on się kończyć w okolicy czerwonej linii?
  2. Cześć, mam 2 pytania do artykułu: 1. Nie powinno to być inaczej sformułowane? Skoro za stan niski odpowiada tylko R2 to wydaje mi się, że przy typowej konfiguracji zwiększając tylko rezystancję R1 jesteśmy wstanie zwiększyć czas ładowania kondensatora bez wpływu na czas jego rozładowania. 2. Kwestie obliczeniowe: Przy Projekcie1(detektor przeszkód) piszesz, że R2=1k66, R3 = 1k Czy nie powinno wynosić ok 70%? ale to chyba szczegół. Przyznaję, że artykuły o NE555 to jedne z ciekawszych Jeżeli chodzi o detektor przeszkód to dla napięcia 6V udało mi się uzyskać poprawne działanie diody IR na maksymalną odległość 2/3cm przy różnych próbach zmian rezystancji. Zasięg oraz kąt działania diody IR w porównaniu do pilota domowego wyglądał bardzo słabo.
  3. Dzięki Sabre za odpowiedź. Głównym powodem postawionego wcześniej pytania była ciekawość związana z tym, czy mosfety wykorzystywane są w układach, które zawierają jakieś obciążenia, mogące przekraczać maksymalny prąd pinu uC i należy je załączać przez tranzystor. A w sytuacji, gdy układ zasilany byłby z baterii i istotne byłoby wydłużenie czasu jego pracy to zgodnie z informacjami nabytymi w tym artykule mosfety mogłyby mieć lepsze zastosowanie, niż bjt. Dlatego byłem ciekawy, czy istnieje możliwość ich stosowania w takich opisanych przypadkach oraz czy się takie rozwiązania spotyka.
  4. Cześć Czy przy w przypadu energooszczędnego układu zawierającego np. moduł radiowy(Imax = 25mA) załączany przez uC zasilany napięciem 3V3 warto zastosować MOSFET zamiast BJT w celu minimalizacji prądu? Czy raczej nie istnieje MOSFET pozwalający na uzyskanie takiego prądu przy tak niskim napięciu?
  5. Cześć, jeżeli filtrujemy napięcie przed jakimś układem scalonym to, czy kondensatory nie powinny być w rzeczywistym układzie ułożone "identycznie" tak jak na schemacie? Mam na myśli to, żeby napięcie zostało zfiltrowane po drodze ścieżki zasilania zanim dotrze do jakiegoś układu. Tutaj zdjęcie z artykułu, na którym kondensator wejściowy jest wstawiony za stabilizatorem patrząc od kierunku zasilania: Zdaję sobie sprawę, że to jest ta sama "linia szeregowa" na płytce stykowej ale zgodnie z tym czego uczyłem się np. o uC to powinno się kondensatory zasilające dawać na drodze zasilania jak najbliżej uC, aby nie doszło do niego napięcie bez filtracji. To jak to z tym jest? Ma znaczenie miejsce wstawienia tego kondensatora na filtracje układu? I analogicznie, czy ma znaczenie to, czy 2 kondensatory połaczone z GND damy między uC, a kwarc zew., czy gdybyśmy je dali za kwarcem?
  6. Cześć, nie rozumiem tej części artykułu: Ic=Ib * Beta = 5/10k * 200 = 100mA, a nie 60mA. Te 60mA zostało przyjęte tak 'na oko', ze względu na to, że obciążenie będzie miało jakąś rezystancję, która ograniczy Ic?
  7. Świetny artykuł! Mam kilka pytań: 1. Skoro kondensatory elektrolityczne(polaryzowane) mają elektrody z różnych materiałów to elektrody kondensatorów ceramicznych(niepolaryzowane) mają elektrody z jednego materiału? Czy właśnie takim czynnikiem określamy ich biegunowosc? 2. Zwiększenie pojemności kondensatora wiąże się z powiększeniem jego rozmiarów. Biorąc pod uwagę wypisane elementy składające się na budowę kondensatora np. Elektrolitycznego to największy wpływ na zwiększenie jego pojemności ma powiększenie jego okładek?
×
×
  • Utwórz nowe...