Przeszukaj forum

Witam. Zastanawiam się jak bardzo istotna jest ochrona bramki tranzystora MOSFET. Zdarzyło mi się kilka uszkodzić przez przepięcia od cewek przekaźników na bramce lub elektrostatykę. W różnych źródłach najczęściej widzę rezystor szeregowo przed bramką, zwykle około 100 omów. W ten sposób projektuję układy i póki co w ten sposób nic się jeszcze nie uszkodziło. Z polecanych metod widziałem też diody bramka-źródło i bramka-dren i ponoć też się to sprawdza. Przez myśl mi też przeszedł kondensator pomiędzy bramką a źródłem. W końcu kondensator przeciwstawia się nagłej zmianie napięcia i spowalnia jego wzrost, powinien więc w takim razie też ograniczyć impulsy przepięcia? Czy w ogóle dobrze robię, że ochraniam wszystkie MOSFETy, czy może powinienem to robić tylko w sytuacji, gdzie jest bliski kontakt z użytkownikiem (przycisk, jak na schemacie poniżej Q3 uruchamiany przez S1) a jeśli jest on wewnątrz układu (np. jak na schemacie niżej Q2 uruchamiany przez Q4) może powinienem sobie darować? Czy jeżeli steruję MOSFETem przez PWM (duża częstotliwość ładowań i rozładowań pojemności wewnętrznej bramki) to jest ryzyko jego uszkodzenia jeśli nie zastosuję ochrony bramki? ochrona bramki MOSFET rezystorem (R9) lub kondensatorem (C2) ochrona bramki MOSFET diodami

Cześć, chcę zrobić inwerter. W tym celu najpierw chciałem się nauczyć obsługiwać driver IR2110 z dwoma MOSFETami typu N IRFP250 w układzie półmostka. W celu nauki chciałem jako odbiornik podłączyć żarówkę i zmieniać jej jasność poprzez zmianę wypełnienia sygnału PWM z arduino na wejścia HIN i LIN drivera. Niestety po włączeniu układu żarówka świeci się bardzo słabo i można powiedzieć, że praktycznie nie reaguje na zmiany sygnału PWM z arduino. Całość połączyłem tak jak na schemacie w załączniku. Użyłem kondensatorów ceramicznych 100 nF, diody UF4007 i rezystorów 100 Ohm. Dodatkowo wejścia HIN i LIN zwarłem tak, aby móc sterować oboma MOSFETami przy użyciu drivera za pomocą jednego sygnału PWM z arduino. Wypełnienie sygnału PWM reguluje za pomocą potencjometru. Kod arduino: #define width_pin A2 int analog_width = 0; int width; void setup() { Serial.begin(9600); digitalWrite(11, OUTPUT); } void loop() { analog_width = analogRead(width_pin); width = map(analog_width, 1023, 0, 255, 0); analogWrite(11, width); Serial.println(width); } Dla jasności również powiem co konkretnie podłączyłem pod poszczególne wejścia. Vdd - 5V z Arduino HIN i LIN - jeden i ten sam sygnał PWM z Arduino SD - połączone do minusa zasilania Vss - połączone do minusa zasilania HO - bramka górnego MOSFETa LO - bramka dolnego MOSFETa COM - połączone z minusem zasilacza i źródłem dolnego MOSFETa Vcc - 12V z zasilacza Vs - połączone ze źródłem górnego MOSFETa Vb - połączone przez diodę UF4007 z 12V z zasilacza Dodatkowo pomierzyłem napięcia układu: LO i COM - 3,2 V HO i COM - 7,3 V Vdd i Vss - 4,97 V Bramka i źródło dolnego MOSFETa - 3,2 V Źródło i dren dolnego MOSFETa - 6,9 V Bramka i źródło górnego MOSFETa - 0 V Źródło i dren górnego MOSFETa - 0,03 V Czy dobrze połączyłem układ? Co może powodować, że on nie działa i jak go poprawnie połączyć? Czy wymiana górnego MOSFETa na MOSFET typu P naprawi mój problem? Mam nadzieję, że ktoś pomoże mi rozwiązać ten problem bo już długo tkwie w tym samym miejscu :c

Cześć! Tworzę mały projekcik, dzięki któremu będę mógł kontrolować warunki wokół moich roślin. Jednym z podstawowych założeń jest oszczędność baterii. Układ jest zasilany przez baterię 18650 a jego mózgiem jest ESP8266. Aby zaoszczędzić energię chcę włączać zasilanie dla czujników tylko na moment, poprzez podanie stanu wysokiego z GPIO14 i 13 na tranzystory typu MOSFET (IRLML6246 jako N MOSFET i IRLML6401 jako P MOSFET). Niestety mam małą wiedzę na temat budowy własnych układów elektronicznych i nie jestem pewien czy wybrane przeze mnie tranzystory spełnią swoją rolę. Wrzucam dwa schematy, które różnią się tylko sposobem przekazywania informacji o stanie naładowania baterii (jako element główny tego podukładu wykorzystuję TL431). Pierwszy układ ma za zadanie podawać stan niski na GPIO2, kiedy bateria ma poniżej 3,6v a drugi podaje stan wysoki na GPIO2, kiedy bateria ma poniżej 3,6v. W przypadku pierwszego układu, poprzez dzielnik napięcia ograniczyłem napięcie płynące do GPIO2 tak, aby przy maksymalnym naładowaniu baterii nie przekroczyć 1,3*Vdd mikrokontrolera. Proszę o sprawdzenie, czy dobrane tranzystory spełnią swoją rolę przy włączaniu układu monitorującego baterię i w przypadku włączania czujników oraz o ewentualne poprawki układu jeśli coś przeoczyłem. PS. Celowo nie wrzucam odcinania baterii jeśli jej stan spadnie poniżej 3,2V. Po prostu chce maksymalnie zaoszczędzić czas pracy na baterii.

Z racji ,że o tranzystorach MOSFET dopiero się uczę - chciałbym zapytać bardziej doświadczonych. Moim zadaniem jest wysterowanie silnika z poziomu mikrokontrolera (silnik 12V DC) - mówiąc wysterowanie mam tutaj na myśli najprostsze włącz-wyłącz. Do dyspozycji mam tranzystor IRL3713 według - dokumentacji VGS Min 1.0 V Max 2.5 V i teraz moje pytanie - czy za pomocą dokładnie tego tranzystora jest to możliwe? Jeśli nie to mógłby mi ktoś wskazać jakiś konkretny model, który umożliwi mi to zadanie? Albo chociaż nakierować, na które parametry powinienem zwracać uwagę?