Skocz do zawartości

Obliczanie (przybliżonego) Rds(off) dla N-MOSFET'a


H1M4W4R1

Pomocna odpowiedź

image.thumb.png.31d05602c95bb1749a484bae532bc8a4.png

Jeżeli dobrze rozumiem by wyliczyć rząd wielkości Rds(off) muszę podzielić sobie napięcie przez Idss. Jeżeli dobrze liczę to wartość powinna wynieść 0.5GOhm, nawet jak będzie 10x mniejsza to nic się nie stanie (nie zależy mi na dużej precyzji, a wyłącznie na przybliżonej wartości);

Dla przykładu IRF840 według wyliczeń ma ~20MOhm dla 25*C oraz ~2MOhm dla 125*C co by się zgadzało z modelem w LTSpice.

Tak więc powyższy tranzystor będzie miał ~500MOhm dla 25*C oraz ~10MOhm dla 125*C... (oczywiście obliczenia są przybliżone, bo na dokładności aż tak mi nie zależy, ważne by było więcej niż w przypadku IRF840).

Edytowano przez H1M4W4R1
Link do komentarza
Share on other sites

Dołącz do dyskusji, napisz odpowiedź!

Jeśli masz już konto to zaloguj się teraz, aby opublikować wiadomość jako Ty. Możesz też napisać teraz i zarejestrować się później.
Uwaga: wgrywanie zdjęć i załączników dostępne jest po zalogowaniu!

Gość
Dołącz do dyskusji! Kliknij i zacznij pisać...

×   Wklejony jako tekst z formatowaniem.   Przywróć formatowanie

  Dozwolonych jest tylko 75 emoji.

×   Twój link będzie automatycznie osadzony.   Wyświetlać jako link

×   Twoja poprzednia zawartość została przywrócona.   Wyczyść edytor

×   Nie możesz wkleić zdjęć bezpośrednio. Prześlij lub wstaw obrazy z adresu URL.

×
×
  • Utwórz nowe...

Ważne informacje

Ta strona używa ciasteczek (cookies), dzięki którym może działać lepiej. Więcej na ten temat znajdziesz w Polityce Prywatności.