Obliczanie (przybliżonego) Rds(off) dla N-MOSFET'a

[H1M4W4R1]

Jeżeli dobrze rozumiem by wyliczyć rząd wielkości Rds(off) muszę podzielić sobie napięcie przez Idss. Jeżeli dobrze liczę to wartość powinna wynieść 0.5GOhm, nawet jak będzie 10x mniejsza to nic się nie stanie (nie zależy mi na dużej precyzji, a wyłącznie na przybliżonej wartości);

Dla przykładu IRF840 według wyliczeń ma ~20MOhm dla 25*C oraz ~2MOhm dla 125*C co by się zgadzało z modelem w LTSpice.

Tak więc powyższy tranzystor będzie miał ~500MOhm dla 25*C oraz ~10MOhm dla 125*C... (oczywiście obliczenia są przybliżone, bo na dokładności aż tak mi nie zależy, ważne by było więcej niż w przypadku IRF840).

Edytowano Kwiecień 26, 2022 przez H1M4W4R1