Dobór rezystorów do baz tranzystorów?

[farmaceuta]

Mam taki problem,

 

mam taki układ... O ile w miarę potrafię obliczyć rezystory to zastanawia mnie czy wartość rezystorów na bazach ma podobne znaczenie co rezystory na bramkach mosfetów? W sensie czy im mniejszy prąd na bazie tym dłużej zachodzi przełączanie ? 

2. Czy jeżeli prąd bazy wtórnika emiterowego będzie wiekszy niż maksymalna wartość potrzebna do uzyskania maksymalnej wartości prądu CE spowoduje uszkodzenie tranzystora?(zakładając że obciążenie będzie mogło odebrać większy prąd)

Edytowano Sierpień 25, 2022 przez farmaceuta

[solowkidamian]

@farmaceuta wydaje mi się chociaż nie jestem pewien ze mosfety zaczynają przewodzić po przekroczeniu jakiegoś napięcia na bramce, tak mi się wydaje ponieważ raz chciałem zrobić projekt właśnie z mosfetami i chłopek z YT tłumaczył że po przekroczeniu właśnie jakiegoś napięcia mosfet zacznie przewodzić to napięcie powinno być w nocie katalogowej od tranzystora mosfet bo wiadome dla różnych mosfeta jest pewnie różne

[Gieneq]

8 minut temu, solowkidamian napisał:

zaczynają przewodzić po przekroczeniu jakiegoś napięcia na bramce

@solowkidamian zgadza się, jest to jeden z parametrów mosfetów w notach opisywany jako U_GSth

15 godzin temu, farmaceuta napisał:

czy wartość rezystorów na bazach ma podobne znaczenie co rezystory na bramkach mosfetów?

@farmaceuta Tak ma, na pewno ma, bo są obecne pojemności np. pojemność złącz i indukcyjności. na ogół nie bierze się tego pod uwagę, ale niektóre modele tranzystorów już to uwzględniają. Większym prądem łatwiej coś przełączyć, ale ma to mniejsze znaczenie niż dla technologii CMOS. Jak poczytasz o rozwoju układów 4000 w TTL i 7400 w CMOS, a zwłaszcza odmianach 74 np HC to widać jak starano się przyspieszyć układy CMOS, które były bardziej energooszczędne ale cierpiały na dłuższy czas propagacji.

15 godzin temu, farmaceuta napisał:

Czy jeżeli prąd bazy wtórnika emiterowego będzie wiekszy

Tak, ale od pewnego momentu. Napięcie na złączu BE musi być podobne jak na diodzie, około 0,7V. Ale jak będziesz mieć z 0.9V to już będzie problem. Problem ten wygląda inaczej w układzie z rezystorem w emiterze, dlatego danie choćby małego oporu poprawia stabilność układu, bo dla danego napięcia na bazie masz bardziej stabilny spadek napięcia na rezystorze w emiterze, a stąd stały prąd emitera i kolektora. Wtedy zmiana obciążenia w kolektorze objawia się zmianą napięcia na kolektorze, ale prąd jest stabilny.

W takim układzie podawanie prądu na bazę jest bezpieczniejsze, bo układ ma rezystancję wejściową zależną także od rezystora w emiterze - generalnie jest większa. Jak możesz zauważyć np w mikrokontrolerach i przetworniku ADC o bardzo dużej rezystancji wejściowej jest ona bezpieczna, bo możesz podłączyć bezpośrednio źródło napięcia i nic nie uszkodzisz, a źródło prądowe powinno mieć ogromny wydatek żeby coś zepsuć.

[farmaceuta]

1 godzinę temu, solowkidamian napisał:

@farmaceuta wydaje mi się chociaż nie jestem pewien ze mosfety zaczynają przewodzić po przekroczeniu jakiegoś napięcia na bramce, tak mi się wydaje ponieważ raz chciałem zrobić projekt właśnie z mosfetami i chłopek z YT tłumaczył że po przekroczeniu właśnie jakiegoś napięcia mosfet zacznie przewodzić to napięcie powinno być w nocie katalogowej od tranzystora mosfet bo wiadome dla różnych mosfeta jest pewnie różne

To napięcie nazywa się napięciem progowym, w notach jest opisane jako Vgsth...jest to napięcie przy którym tranzystora dopiero zaczyna się otwierać i płynie przez niego znikomy prąd...

Ps .. dzięki panowie za odpowiedzi

Edytowano Sierpień 26, 2022 przez farmaceuta