Wybór ochrony przed uszkodzeniem bramki MOSFET: rezystorem, diodami czy kondensatorem

[Spark]

Witam. Zastanawiam się jak bardzo istotna jest ochrona bramki tranzystora MOSFET. Zdarzyło mi się kilka uszkodzić przez przepięcia od cewek przekaźników na bramce lub elektrostatykę. W różnych źródłach najczęściej widzę rezystor szeregowo przed bramką, zwykle około 100 omów. W ten sposób projektuję układy i póki co w ten sposób nic się jeszcze nie uszkodziło. Z polecanych metod widziałem też diody bramka-źródło i bramka-dren i ponoć też się to sprawdza. Przez myśl mi też przeszedł kondensator pomiędzy bramką a źródłem. W końcu kondensator przeciwstawia się nagłej zmianie napięcia i spowalnia jego wzrost, powinien więc w takim razie też ograniczyć impulsy przepięcia? 

Czy w ogóle dobrze robię, że ochraniam wszystkie MOSFETy, czy może powinienem to robić tylko w sytuacji, gdzie jest bliski kontakt z użytkownikiem (przycisk, jak na schemacie poniżej Q3 uruchamiany przez S1) a jeśli jest on wewnątrz układu (np. jak na schemacie niżej Q2 uruchamiany przez Q4) może powinienem sobie darować? Czy jeżeli steruję MOSFETem przez PWM (duża częstotliwość ładowań i rozładowań pojemności wewnętrznej bramki) to jest ryzyko jego uszkodzenia jeśli nie zastosuję ochrony bramki? 

ochrona bramki MOSFET rezystorem (R9) lub kondensatorem (C2)

ochrona bramki MOSFET diodami