Skocz do zawartości

Pomocna odpowiedź

(edytowany)

@_LM_ a patrz na to...interesuje nas tylko obciążenie bez tego wyświetlacza...

4171466500_1441991441.thumb.jpg.55a1abc0459dc398effda67e1fef5bcc.jpgz elektrody i chłop gada że mu działa normalnie...jak rozumiem spadki tu dużo mniejsze i można zejść nisko z napięciem badanego zasilania...to działa jak zmienny rezystor??

PS...wiem o dodaniu kondensatora między odwracające wejście w wyjście, którego tu nie ma, w celu przedzie działaniu wzbudzeniom 

Edytowano przez farmaceuta

Budując sztuczne obciążenie musisz się zaznajomić z obszarem SOA użytego tranzystora, bo od niego głównie zależy "mocowa" strona obciążenia.

Układ Darlingtona ma swoje zalety ale i wady - wysokie napięcie nasycenia. Oznacza to, że przy dużych prądach zaobserwujesz spadek np. 3 V na samym tranzystorze. W większości przypadków może to nie mieć znaczenia, bo sama regulacja polega właśnie na ograniczaniu napięcia (prawa Oma i Kirchhoffa). Żeby jednak tego uniknąć stosuje się wzmacniacze prądowe, które wymagają zasilania dodatkowym prądem. I tutaj przewagę mają MOSFETy, bo nie wymagają stałego prądu na bramce, jedynie do przeładowania jej pojemności.

Generalnym problemem jest problem stabilności regulatora, trzeba czasem się pobawić kompensacją częstotliwościową lub innymi metodami polepszenia marginesu fazy.

Obciążenie może mieć różny charakter - stały prąd, stałe napięcie, stała rezystancja, stała moc. Dwa pierwsze, w szczególności CC są najpopularniejsze i chyba najłatwiejsze.

  • Lubię! 1
  • Pomogłeś! 1

@borabora u mnie to raczej podstawowa wersja będzie czyli stały prąd, pomiar napięcia i obliczenie mocy/pojemności ewentualnych Aku...tyle 😅 o dokładniejsze parametry tranzystorów mnie nie pytaj bo się nie znam...jak już patrzę na mosfet to Rdson Vds ewentualnie Eas jak ma być obciążenie indukcyjne...to wszystko 

To nic trudnego, dla tego 100N10 wygląda tak:

Screenshot_20260314_070340_FreeAdblockerBrowser.thumb.jpg.650803c91f3b7ab3ef22f953fd924875.jpg

Patrzysz na tą linię na dole i odczytujesz jakie napięcie i prąd są bezpieczne, np. dla 20 V są jakieś 0,3 A. Słabizna moim zdaniem.

  • Lubię! 1
  • Pomogłeś! 1

Tak się jeszcze zastanawiam...dając kilka mosfetow daje rezystory wyrównawcze, może zrobić tak że każdy mosfet ma swój własny wzmacniacz...to napewno bardzo by wyrownalo prądy, do tego miałbym zapas prądowy wyjścia wzmacniacza bo jednym raczej nie zasile kilku par bjt sterujących bramkami...jest sens? 

Dodatkowo dałbym jeden bocznik na którym bym sobie mierzył prąd na esp32, bo to na być z wyświetlaczem...

Chodzi mi poprostu o powielenie schematu powyżej gdzie obciążenie by miało działać jako całość...

6 godzin temu, jand napisał:

Coś takiego sugerowałem 7 marca 😉.

Tak tak zgadza się 👍 tylko się jeszcze zastanawiałem nad tym czy powielać również wzmacniacze, koszt "nie gra roli" więc mogę i trzy sztuki podwójnych wstawić dla 6 sztuk mosfeta...miejsca pod dostatkiem, jutro, to znaczy dziś wstawię schemat dla oceny...będę jeszcze potrzebował pomocy przy doborze filtra RC na wejściu wzmacniacza od strony bocznika bo podobno jest bardzo wymagany żeby uniknąć wzbudzania mosfeta i do tego kondensator kompensujący między wyjście a wejście odwracające z tego samego powodu...

(edytowany)

- a u mnie jest to , cena tranzystora 80 zł .

SOA.thumb.PNG.ec21b44762bf58d0dcee1375f53ab2d4.PNG

Edytowano przez 99teki
  • Lubię! 1
23 godziny temu, farmaceuta napisał:

zgubiłem...tylko taki słaby prąd mogę puścić jak pokazuje linia DC na wykresie???

Tak, przy napięciu 20 V tylko tyle stale wytrzyma ten tranzystor. Dlatego jak chcesz więcej, musisz poszukać odpowiedniego np. szukając z pomocą wyszukiwarek w sklepach z częściami. Ale oprócz SOA jest jeszcze kilka innych istotnych parametrów jak max prąd, max napięcie, prąd bazy i beta dla BJT, napięcie i pojemność bramki dla MOSFETów, itd.

  • Lubię! 1
8 minut temu, borabora napisał:

jest jeszcze kilka innych istotnych parametrów jak max prąd, max napięcie, prąd bazy i beta dla BJT, napięcie i pojemność bramki dla MOSFETów, itd.

Tak, na to wszystko też zwracam uwagę, ale dalej nie mogę zrozumieć dlaczego mogę puścić tak mały prąd skoro Rdson to kilka mili 🤔 

Z tego co się zorientowałem to tutaj mosfet działa jak zmienny rezystor i np przy 20v i prądzie 10A muszę odprowadzić 200watt ciepła z mosfeta, oczywiście mosfet powinien mieć duży zapas żeby nie grzał na granicy, no i nie rozumiem skąd tylko 0.3A, skoro przez przeciętny mosfet można puścić śmiało kilka kilkanaście A na pełnym otwarciu 🤔

(edytowany)

@borabora myślałem o takim modelu bo sobie trochę ich zamówiłem do przetwornic i tak ogólnie... https://www.lcsc.com/datasheet/C152185.pdf

 

Edit...no i tak poczytałem i są mosfety specjalnie przeznaczone do pracy linowej, a te zwykłe jak powyżej mogą zostać uszkodzone w takim trybie pracy (hot spot, czy jakoś tak)...

Szukać specjalizowanych mosfetow? Czy się nie przejmować i brać zwykle tylko nie obciążać ich przesadnie?

Edytowano przez farmaceuta

Kluczowa jest karta katalogowa - jeśli obszar SOA jest pokazany w niej również dla prądu stałego (DC), to taki tranzystor nadaje się do Twojego zastosowania. Wiele jednak typów ma obszar SOA wyznaczony jedynie dla obciążenia impulsowego ( z max. czasem np. 10ms) i takiego bym nie używał.

Model z Twojego linku - IRF100B201 - ma wyznaczony bezpieczny obszar dla prądu stałego, więc mógłbyś go użyć i puścić przez niego kilkadziesiąt A przy spadku napięcia kilku Volt. Tylko musi mieć porządny radiator.

  • Pomogłeś! 1

@jand ja tak celuję max w 10A przy powiedzmy 20v na mosfet...ale to tylko jakieś pojedyncze przypadki by były...tak normalnie to myślę że 4-5A na mosfet bym nie przekroczył...co myślisz? Zostać przy tym z linku???

Bądź aktywny - zaloguj się lub utwórz konto!

Tylko zarejestrowani użytkownicy mogą komentować zawartość tej strony

Utwórz konto w ~20 sekund!

Zarejestruj nowe konto, to proste!

Zarejestruj się »

Zaloguj się

Posiadasz własne konto? Użyj go!

Zaloguj się »
×
×
  • Utwórz nowe...