Przetwornica 12-230 V. Ogólne uwagi co do poprawności schematu

[farmaceuta]

Witam wszystkich...

będę wdzięczny za sugestie co do sprawdzenia poprawności schematu...czego tu ewentualnie brakuje, lub co do wartości elementów...zwłaszcza chodzi mi o drivery mostów(wyciśnięcie z nich ile się da)...tranzystory mają wydajność w  granicy ~100mA...

Ten pomiar napięcia wtórnego wiem że jest do poprawki i to na dodatkowym Trafo żeby izolacja była, więc się poprawi...

[H1M4W4R1]

5 godzin temu, farmaceuta napisał:

czego tu ewentualnie brakuje

Porządku... Lepszego sterowania MOSFET'ami i zabezpieczenia galwanicznego by nie spaliło Ci się ESP  Najważniejsze to pierwsze, bo ciężko ten schemat przeczytać. 

Krótki poradnik:

1. Kondensatory "decoupling" umieszczasz obok tego, do czego się odnoszą, tak samo rezystory podciągające.
2. Ktoś wymyślił coś takiego jak "porty" dla EDA. Ścieżki nie muszą się krzyżować jak sieć rybacka.
3. Polecam grupować elementy w "grupy funkcyjne" np. grupa elementów odpowiadających za napięcie 3.3V, grupa odpowiedzialna za 5V, grupa do sterowania mosfetem A, grupa do sterowania mosfetem B, grupa do obsługi transformatora, przyłącza. Inaczej ciężko cokolwiek tutaj odnaleźć.

Jak posprzątasz schemat to sam znajdziesz pewnie kilka problemów  

P.S. jak budowałem przetwornicę 6->600V to pomyliłem biegunowość napięcia sterującego i kopnęło mnie 600V o częstotliwości ~50-100kHz... nie polecam. (Na szczęście moc była niska)

[farmaceuta]

1 godzinę temu, H1M4W4R1 napisał:

Porządku... Lepszego sterowania MOSFET'ami i zabezpieczenia galwanicznego by nie spaliło Ci się ESP  Najważniejsze to pierwsze, bo ciężko ten schemat przeczytać. 

No wiem że strasznie pomotalem ten schemat (dłuższa przerwa od EasyEda, a i wcześniej też wprawy nie miałem ) mosfety wiem że kiepsko będą mieć co do prądu bramki, no ale akurat takie bipolarne miałem pod ręką...jak by to jakoś kulało to będę już robił z poważnymi tranzystorami lub driverami... Co do galwanizacji to też wiem że pasują ją dawać zwłaszcza w takich urządzeniach...

Poczytam o tych "portach" co do grupowania to jak najbardziej masz rację, też ogarnę 

1 godzinę temu, H1M4W4R1 napisał:

 

P.S. jak budowałem przetwornicę 6->600V to pomyliłem biegunowość napięcia sterującego i kopnęło mnie 600V o częstotliwości ~50-100kHz... nie polecam. (Na szczęście moc była niska)

A jaj jaj... No kurde chwila nie uwagi i nieszczęście gotowe... 

No a zakładając że driver ma max 100mA...nie jest tak że jeśli go "otworze" na maxa to przez chwilę popłynie tamtędy dużo większy prąd? (do czasu aż kondensator bramki się naładuje?)

Edytowano Sierpień 30, 2022 przez farmaceuta

[H1M4W4R1]

14 minut temu, farmaceuta napisał:

No a zakładając że driver ma max 100mA...nie jest tak że jeśli go "otworze" na maxa to przez chwilę popłynie tamtędy dużo większy prąd?

Wujek Ohm powinien pomóc  Kondensator przed napełnieniem ładuje się maksymalnym dostępnym prądem, który może być ograniczany przez rezystor. W Twoim przypadku dodatkowo ograniczasz prąd na bramce tranzystora, co dla uproszczenia pominę.

Jeżeli masz na MOSFET rezystor 10R, to przez chwilę popłynie prąd I = U/(10[R]), dając tam napięcie 12V popłynie max. 1.2A. Jeszcze policz czy prąd bramki nie ograniczy Ci tego prądu do niższej wartości. (Ib = 12V/1220R -> 10mA, 10mA * b(100-400) -> 1-4A), czyli tak jakoś 1A popłynie przez Twoje biedne tranzystorki, które raczej tego nie wytrzymają. (Liczone na szybko, może być błędnie)

[Pominąłem potencjalne interferencje w obwodzie, ale przy tej ilości rezystorów raczej nie wystąpią zjawiska typu sprzężenie zwrotne z emitera/kolektora na bramkę]

Edytowano Sierpień 30, 2022 przez H1M4W4R1

[farmaceuta]

16 minut temu, H1M4W4R1 napisał:

 

Jeżeli masz na MOSFET rezystor 10R, to przez chwilę popłynie prąd I = U/(10[R]), dając tam napięcie 12V popłynie max. 1.2A. Jeszcze policz czy prąd bramki nie ograniczy Ci tego prądu do niższej wartości. (Ib = 12V/1220R -> 10mA, 10mA * b(100-400) -> 1-4A), czyli tak jakoś 1A popłynie przez Twoje biedne tranzystorki, które raczej tego nie wytrzymają. (Liczone na szybko, może być błędnie)

No to się zgadzamy a gdzie znajdę rezystancję złącza CE bipolarna? bo ślepy chyba jestem... Chodzi mi oczywiście o sytuację kiedy tranzystor jest całkowicie otwarty...

[H1M4W4R1]

15 minut temu, farmaceuta napisał:

a gdzie znajdę rezystancję złącza CE bipolarna? bo ślepy chyba jestem...

Miałem na myśli zwykłe rezystory (i pominąłem też spadek napięcia na BJT, który czasami ma wpływ na wynik). Ogólnie polecam przetestować to na jakimś symulatorze - Falstad, LTSpice itp. Wiele błędów można w ten sposób poprawić  

BJT jest nieliniowy - nie ma stałej rezystancji (podobnie jak dioda), nawet MOSFET'y nie są liniowe, ale tam już jakoś można to policzyć z dokumentacji, by go zastąpić rezystorem, przy BJT lepiej tego nie robić, bo można się zdziwić.

Edytowano Sierpień 30, 2022 przez H1M4W4R1

[farmaceuta]

 Jeszcze pytanko odnośnie rezystora bramki... często puszcza się na bramkę duży prąd, a wielu przypadkach zauważyłem że właśnie w bramkę ludzkie upychają te skromne rezystory 1/4watt...mam rozumieć że "impulsowo" wytrzymają trochę więcej??, Oczywiście bez przesady...(jak wszystko zresztą.. zależy jak długo )

[H1M4W4R1]

6 minut temu, farmaceuta napisał:

Jeszcze pytanko odnośnie rezystora bramki... często puszcza się na bramkę duży prąd, a wielu przypadkach zauważyłem że właśnie w bramkę ludzkie upychają te skromne rezystory 1/4watt...mam rozumieć że "impulsowo" wytrzymają trochę więcej??, Oczywiście bez przesady...(jak wszystko zresztą.. zależy jak długo )

Mówisz o MOS? To normalne, bo P = U*I, więc na tym skromnym 10R nie będzie aż tak dużych strat.

I tak impulsowo rezystory wytrzymują więcej  Chłodzone pasywnie/aktywnie jeszcze więcej.

[farmaceuta]

29 minut temu, H1M4W4R1 napisał:

Mówisz o MOS? To normalne, bo P = U*I, więc na tym skromnym 10R nie będzie aż tak dużych strat.

I tak impulsowo rezystory wytrzymują więcej  Chłodzone pasywnie/aktywnie jeszcze więcej.

Mówię o stratach na rezystorze... coś mi się wzory pomotały... Do czego służy wzór I2*R? (to też chodziło o straty tylko teraz nie pamiętam o jakie...

[H1M4W4R1]

6 minut temu, farmaceuta napisał:

Mówię o stratach na rezystorze... coś mi się wzory pomotały... Do czego służy wzór I2*R?

Do wyliczania strat na rezystorze... Może ja się walnąłem, ale IMHO rezystor nie powinien się grzać, chociaż osobiście zwykle stosuję min. 1kR dla bramek tranzystorów sterowanych, ale nigdy nie przekraczałem bariery 500kHz.

[farmaceuta]

A jaki sposób byś doradził@H1M4W4R1 w kwestii odseparowania esp32 od reszty? "Dzielnik śmierci " to wiem jak...chodzi mi o masy ESP i masy stopnia mocy...

 

[kaworu]

20 godzin temu, farmaceuta napisał:

Jeszcze pytanko odnośnie rezystora bramki... często puszcza się na bramkę duży prąd, a wielu przypadkach zauważyłem że właśnie w bramkę ludzkie upychają te skromne rezystory 1/4wat

Bo średni prąd na tym konkretnym tranzystorze bez rezystora, będzie wynosił jakieś oszałamiające 27mA przy 500kHz. Co da Ci maks 7mW strat, 0402 byłby wystarczający.

[farmaceuta]

2 godziny temu, kaworu napisał:

Bo średni prąd na tym konkretnym tranzystorze bez rezystora, będzie wynosił jakieś oszałamiające 27mA przy 500kHz. Co da Ci maks 7mW strat, 0402 byłby wystarczający.

Ale mówisz teraz o mosfecie czy jak? Bo troszkę się pogubiłem i nie wiem o który tranzystor teraz chodzi w kontekście tych 27mA...

[kaworu]

No a jaki fragment zacytowałem? Mowa o prądzie na linii bramki mosfetów, tam gdzie są te 10R rezystory.

[farmaceuta]

24 minuty temu, kaworu napisał:

No a jaki fragment zacytowałem? Mowa o prądzie na linii bramki mosfetów, tam gdzie są te 10R rezystory.

Tak mało? Chociaż Ty mówisz o 500kHz...a ile tam będzie prądu przy 50k? tak z grubsza(bo ciężko idzie mi wyczytanie bety z wykresów, a tak w zasadzie to nawet nie wiem jak się za to zabrać i co uwzględniać )